四探针电阻率测试|四探针电阻率测试仪|四探针电阻率测试仪原理-e测试

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四探针电阻率测试

满意度： 100%

仪器型号：

Four Dimensions Inc（280SI）美国4D四探针/电阻率/方阻测试仪，ROOKO瑞柯自动双极板材料四探针低阻/接触电阻测试仪 FT-541SJB-341，RTS-8型四探针测等

预约次数：

1670次

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常见问题

论文致谢

李强

中南大学

Chemical Engineering Journal

Template-assisted synthesis of ultrathin graphene aerogels as bifunctional oxygen electrocatalysts for water splitting and alkaline/neutral zinc-air batteries

影响因子：16.744

现金奖励：566.00

申请时间：2023-02-01 11:20:11

预约须知

1.样品要求：粉体提供3-5g，压片测试，至少保证压实后体积不小于1cm^³；薄膜，提供准确膜厚，厚度均匀；块体上下平行，最好抛光处理；厚度务必在 50μm至3mm之间，不得超过3mm，长宽最佳尺寸：10mm×10mm以上；

2.特别注意：粉末电阻率范围：1.5×10 ^{^-5}～ 2×10 ^⁵Ω·cm；薄片电阻率范围：10 ^{^-4}～ 10^⁵Ω·cm；适用于碳材料及半导体材料；特别注意金属及合金类材料电阻率极低，超出检测下限、而陶瓷等无机材料电阻率过大，会超出检测上限，不适合用四探针法测试；四探针法只能测试室温；

3. 需要准确提供导电层厚度！！

4.如有其他疑问，请联系前期对接的技术顾问.

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项目介绍

1.四探针测试技术，简称为四探针法，是测量半导体电阻率最常用的一种方法；

2.四探针测试技术，是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上，由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I，然后测量出中间两根探针之间的电压V，就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W（远小于长和宽）的薄半导体片，得到电阻率为ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系数。特别，对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片，得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm]，其中W用cm作单位。

3，四探针测试法测薄膜或块体样品的时候，会对样品有一定的压力损坏。

样品要求

粉体提供3-5g，压片测试，至少保证压实后体积不小于1cm^³；薄膜，提供准确膜厚，厚度均匀；块体上下平行，最好抛光处理；厚度务必在 50μm至3mm之间，不得超过3mm，长宽最佳尺寸：10mm×10mm以上；

结果展示