
四探针电阻率测试(已下架)
满意度: 100%

仪器型号:
中国-恒奥德-RST-9,中国-晶格-ST2742B,四探针科技-PTS-8,中国-诺雷信达-RTS-9,中国-瑞柯微-FT-300I
中国-恒奥德-RST-9,中国-晶格-ST2742B,四探针科技-PTS-8,中国-诺雷信达-RTS-9,中国-瑞柯微-FT-300I

预约次数:
2926次

服务周期:
平均5.3个工作日
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PPMS-电阻率
项目介绍
样品要求
结果展示
常见问题

1.样品要求:粉体,压片测试,需提供1毫升以上;薄膜,提供准确膜厚,厚度均匀;块体上下平行,最好抛光处理;厚度务必在 50μm至3mm之间,不得超过3mm,长宽10mm×10mm以上;液体提供3mly以上,不能有腐蚀性
2.特别注意:粉末电阻率范围:1.5×10 -5~ 2×10 5Ω·cm;薄片电阻率范围:10 -4~ 105Ω·cm;适用于碳材料及半导体材料;特别注意金属及合金类材料电阻率极低,超出检测下限、而陶瓷等无机材料电阻率过大,会超出检测上限,不适合用四探针法测试;四探针法只能测试室温;
3. 需要准确提供导电层厚度!!
4.如有其他疑问,请联系前期对接的技术顾问.
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1.四探针测试技术,简称为四探针法,是测量半导体电阻率最常用的一种方法;
2.四探针测试技术,是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上,由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I,然后测量出中间两根探针之间的电压V,就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W(远小于长和宽)的薄半导体片,得到电阻率为ρ=ηW(V/I),式中η是修正系数。特别,对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片,得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm],其中W用cm作单位。
3,四探针测试法测薄膜或块体样品的时候,会对样品有一定的压力损坏。

样品要求:粉体,压片测试,需提供1毫升以上;薄膜,提供准确膜厚,厚度均匀;块体上下平行,最好抛光处理;厚度务必在 50μm至3mm之间,不得超过3mm,长宽10mm×10mm以上;;



四探针测试针对导体一般没问题,如果不出结果,大多数原因是阻值超量程了;

尺寸一般要求10*10mm以上,或者长条状至少有一个边大于10mm,以免无法放置探针;厚度不超过3mm,不同厚度校正因子不同,超过3mm默认用3mm厚度因子校正,结果会有一定误差;

粉末电阻率测试仪也是四探针法,直接粉末进样后,自动压片后测试,而RST-9需要压好片后再上机测试,对压片的样品强度有一定要求,容易松散的无法测试;

400-630-1090