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变温稳态荧光（变温PL）
温度不仅对荧光强度有着影响，还时常会影响到荧光光谱的形状和波长。荧光发射组分的摩尔消光系数（或者叫辐射速率常数）通常对温度有微弱的依赖关系。然而，受振动耦合控制的非辐射速率常数则受到温度的强烈影响，并随温度的升高而增加。这意味着随着温度的升高，荧光强度将会降低。同样，碰撞猝灭也会随温度升高，也会导致荧光强度降低。荧光还在很大程度上受荧光发射分子周围分子的影响。在液氮或液氦冷却下测量的荧光实验结果表明，低温下不仅荧光强度会增加，而且荧光激发和发射光谱中的振动结构数量也会增加。在低温下，碰撞猝灭下降，非辐射速率常数也将减小，带来荧光辐射强度的增加。在室温下的荧光光谱中，会出现多环芳香烃类分子的振动峰。
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当发光手性分子被光激发后，产生的荧光在左右圆极化强度方面会体现出一定的差异性，这种现象被认为是圆偏振发光性（CPL）。常规的CD波谱仪仅能检测材料基态的手性，而该仪器能检测材料激发态的手性信息。
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