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正电子湮灭

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正电子湮灭须知:

1. 样品要求:最佳样品尺寸12×12×2mm或直径12×2mm(边长/直径>12mm,厚度>2mm);
2. 一组样品要同样的2片(正电子测试除慢正电子束测量,都需要2个样品);不同样品尽量保持在同一压力下进行压片(压片后手轻捏不松散就可以了);

3. 如有其他疑问,请联系前期对接的技术顾问



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常见问题

  • 正电子湮灭都有哪些技术,用来测试什么?

    主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。

    寿命谱

    22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27 MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511 keV的湮没辐射γ光子标志正电子的“死亡”,并作为终止信号,两个信号之间的时间就是正电子的寿命。

    双γ角关

    正电子源通常为64Cu、22Na、58Co, 测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。

    多普勒增宽谱:

    使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器,测量湮没辐射的能谱;

    目前平台仅提供寿命谱模式;

  • 粉末样品可以测试吗?

    只能测试块体,需要压片后送样;

  • 正电子湮灭数据拟合用什么软件?

    PATFIT、freevolumef;


  • 正电子湮灭是如何判断不同缺陷类型的?

    不同缺陷寿命不同,通过寿命拟合,可以判断缺陷的类型,比如纳米孔、离子键导致的缺陷都可以通过寿命值大小来区分;

结果展示


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