TOF-SIMS常见测试问题（二）一e测试

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TOF-SIMS常见测试问题（二）

2022-10-14 17:26:33 0 488

能分析的最小厚度为多少？

答：深度剖析最小可以分析1 nm的厚度。

有机无机掺杂，可以分析吗？

答：TOF-SIMS对有机、无机材料都有很好的分析能力，当有机无机掺杂浓度在TOF-SIMS 检出限能力所及条件下是可以进行分析的。如果掺杂浓度太低（ppb-ppt）, 需要用D-SIMS进行分析。

药片截面如何制备？

答：制备截面或剖面的时，Z怕引入新的污染或造成交叉污染，因此需要采用离子束剖面切割来制备样品。

如何确定界面的位置？

答：两层采用其特征离子表征，看深度曲线的变化，曲线强度值拐点最高到最低的范围，20%~80%之间都可以设定为界面的位置。

单颗粒面积太小，深度剖析会不会荷电很差，导致结果不准？

答：需要看材料的荷电效应以及单颗粒尺寸大小等。

从碎片怎么确定成分？如Au₂SO₃？

答：分别采集正、负离子图谱。Au在正负离子模式下有明显的产额，伴随Au_x 团簇离子；SO_x主要在负离子模式下产额高，S/SO/SO₂/SO₃这些离子都会出现，Au_xS_y 或Au_xSO_y这种离子也会出现。

测试前，该如何判断有机大分子可能出现的分裂情况？

答：测试未知组分，测试前是不能判断分子的分裂情况的；如果是已知有机组分，可以根据分子结构特征和一些已有经验（来自对一些已知有机材料的图谱分析）判断可能产生的离子碎片。

分析深度能达到多少？

答：表面是小于2 nm, 结合溅射离子源可以到μm深度。

在测试表面氧化的金属合金过程中，需要提前提供哪些信息？如元素或者化合态吗？

答：测试时需要提供分子片段，主要是指分子离子, 比如：Fe/FeO, Fe2O, FeO2等。当然，能提供样品信息越多越好，如关注哪种金属离子和金属氧化物，分析的时候可以有针对性识别，不过TOF可以分析未知无机成分。

Q10

深度剖面横坐标时间与深度如何转换？

答：首先获得溅射速率，通过溅射速率可以把时间转换成深度，软件和EXCEL都可以实现。

Q11

横坐标为什么是m/z，而不是m？

答：因为TOF-SIMS主要采集的是二次离子（有质量和电荷），所以用荷质比m/z表示；通常电荷数是1，所以呈现的数值与m（质量数）相等，但意义不同。

Q12

可以对金属截面进行机械抛光后就直接测试TOF-SIMS吗？

答：也可以测，但污染干扰太多，数据太杂。

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