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TEM制样-聚焦离子束(FIB)制样

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常见问题

TEM制样-聚焦离子束(FIB)制样

满意度: 100%

仪器型号:

美国-Thermo Fisher-Helio Nanolab G3 UC,中国-国仪量子-DB500,美国-FEI-Strata 400S,捷克-TESCAN-GAIA3,捷克-TESCAN-LYRA3 XMU

美国-Thermo Fisher-Helio Nanolab G3 UC,中国-国仪量子-DB500,美国-FEI-Strata 400S,捷克-TESCAN-GAIA3,捷克-TESCAN-LYRA3 XMU

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TEM云现场/现场

     透射电子显微镜(TransmissionElectronMicroscope,TEM)是一种利用高能电子束穿透样品,通过电子与样品原子的相互作用产生的各种信号来成像,从而实现对材料原子级分辨率结构分析的精密仪器。设备在工作时把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上,电子与样品中的原子碰撞而改变方向,从而产生立体角散射。散射角的大小与样品的密度、厚度相关,因此可以形成明暗不同的影像,影像将在放大、聚焦后在成像器件(如荧光屏、胶片、以及感光耦合组件)上显示出来。     云现场基于远程实时传输技术,用户可通过云端平台在线观察TEM成像过程,与技术人员实时交互调整参数(如放大倍数、聚焦),同步获取高清图片及分析报告,从而观察颗粒尺寸、形貌(如球形/片状)、分散性及团聚状态,结合选区衍射(SAED)分析晶型,能谱(EDS)检测元素分布。

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     透射电子显微镜(TransmissionElectronMicroscope,TEM)是一种利用高能电子束穿透样品,通过电子与样品原子的相互作用产生的各种信号来成像,从而实现对材料原子级分辨率结构分析的精密仪器。设备在工作时把经加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上,电子与样品中的原子碰撞而改变方向,从而产生立体角散射。散射角的大小与样品的密度、厚度相关,因此可以形成明暗不同的影像,影像将在放大、聚焦后在成像器件(如荧光屏、胶片、以及感光耦合组件)上显示出来。

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生物透射电镜是观察生物细胞样品内部形态的重要工具,其电压在80-120kv可以降低生物样品因高能电子束辐射而损伤的影响,同时依赖于生物样品制备技术的发展,如超薄切片技术、负染色技术、冷冻制样技术、细胞化学技术等,广泛应用于组织学、细胞学、病毒学、病理学及材料学等多个学科的研究中,一般用来观察细胞整体结构、细胞膜细胞壁细胞器的变化、材料进入细胞内部的分布情况或者细胞应付外界刺激产生的自噬小体等结构,以及外界生物入侵的侵染结构等等。

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TEM制样-离子减薄

用于TEM样品制备应用范围:适用于陶瓷、半导体、合金及薄膜截面样品离子束减薄。适用于合金样品表面氧化膜去除。运用该仪器制备的样品中间的薄区可用于透射电镜观测

项目介绍

样品要求

结果展示

常见问题

预约须知

1. 样品要求:透射制样的样品,表面最好抛光;最佳尺寸:1cm*1cm*0.1cm;    粉末样品尺寸至少在3微米以上才能进行FIB制样;

2. 为了测试老师能够更好的处理您的样品,请您下单时备注具体的样品信息 是否导电 是否有磁性;
3. 特别注意:样品尺寸及制样要求提前发技术顾问确认;样品中有磁性元素也可制样测试;备注下样品的导电性,若导电性较差,会对样品喷金;计时收费一般为FIB+SEM测试;透射制样一般为按样品收费;如需制备SEM样,请在聚焦离子束(FIB)制样-SEM项目中下单。

4.如需拍摄请同步下单云现场-场发射透射电镜(TEM

5. FIB-TEM采用云视频方式定位,定位时间需控制在半小时以内,如测试位置复杂难找或需用mapping辅助定位,时间可能会超过半小时,超出时间需加收机时费用,费用按FIB-SEM标准进行收费

6. 如有疑问,请联系前期对接的技术顾问


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项目介绍

用途及功能:

1.定点剖面形貌和成分表征

2. TEM样品制备

3. 微纳结构加工

4.切片式三维重构

5.三维原子探针样品制备

适用领域:

结构分析、材料表征、三维重构、材料转移等,该系统可适用于横截面和断层扫描,3D分析,TEM样品制备及纳米图形加工;


样品要求

1.FIB切透射样品:块体样品表面最好抛光;最佳尺寸:1cm*1cm*0.1cm,粉末颗粒的尺寸至少在5微米左右;透射样品制备只保证切出的样品厚度可以拍透射;

2.FIBSEM样品:如果是颗粒的话颗粒尺寸直径大于1微米;如果是块体的话尺寸最好小于1cm*1cm

3.特别注意:样品尺寸及制样要求提前发技术顾问确认;样品中有磁性元素也可制样测试;备注下样品的导电性,若导电性较差,会对样品喷金;计时收费一般为FIB+SEM测试;透射制样一般为按样品收费;


结果展示

FIB制备透射样品:

image.png

FIB切截面:

image.png

三维重构:

image.png

常见问题
FIB制样接样注意事项是什么?

1)首先样品成分,是否导电;导电性差的话样品要喷金;

2)其次FIB的目的,截面看SEM还是TEM;TEM是做普通高分辨还是球差,普通的高分辨减薄厚度比球差要厚一些,最薄可以减薄到十个nm左右的厚度;

3)进而切割或取样位置:最好能提供位置示意图;

4)询问材料是否耐高压,FIB制样一般常用电压是30KV;

5)样品最好表面抛光。

 


FIB TEM制样流程图是什么?

1)找到目标位置,表面喷Pt保护。

2)把目标位置前后两侧挖空,剩下目标区域。

3)机械纳米手将这个薄片取出,开始离子束减薄。

4)减薄到理想厚度后停止。

5)将样品焊到铜网上的样品柱上。一个铜网上有4个柱子,最多可以放4个样品。

注意事项:制备好的样品,需要装在自吸附盒里,避免强烈碰撞,强烈碰撞会导致样品从样品柱上脱落,一旦脱落,样品无法找回。


可以接粉体样么?

可以,一般是滴在硅片上风干后制样


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