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首页 测试百科 聚焦离子束(FIB)常见问题

聚焦离子束(FIB)常见问题

聚焦离子束 FIB


Q1


FIB制样的注意事项是什么?

答:①首先确定样品成分是否导电,导电性差的样品要喷金;②其次FIB的目的,截面看SEM还是TEM;TEM是做普通高分辨还是球差,普通的高分辨减薄厚度比球差要厚一些,最薄可以减薄到十个nm左右的厚度;③进而切割或取样位置;④确定材料是否耐高压,FIB制样一般常用电压是30KV;⑤样品最好表面抛光。

Q2


FIB样品为什么需要导电?

答:样品是在SEM电镜下进行操作,需要清晰观察到样品形貌,否则无法精准制样。

Q3


FIB可以做什么?

答:①FIB-SEM:FIB制备微米级样品截面,进行SEM和能谱测试;样品尺度要求2~30 μm,通常切样面直径不超过10 μn;②FIB-TEM:FIB制备满足透射电镜的TEM截面样品;样品包括:薄膜、块体样品,微米级颗粒;样品种类:陶瓷、金属等。

Q4


FIB切下来的样品直接上TEM吗?是否还需要离子减薄?

答:FIB切过的样品不需要离子减薄,可以直接上TEM,但要尽量减得薄一些,否则TEM不太好看,最好不要超过100 nm。

Q5


FIB-TEM的制样流程是什么?

答:①找到目标位置(定位非常重要),表面喷Pt保护(样品导电则不用喷Pt); ②将目标位置前后两侧的样品挖空,剩下目标区域后进行U-cut;③通过Easylift将这个薄片取出,将样品焊到铜网上的样品柱上,标注好样品位置;④减薄到理想厚度后停止。

Q6


FIB制样可能引入的杂质?

答:Pt和Ga,其中Pt是为了保护减薄区域,Ga是离子源。如果样品不导电可能喷Au或者喷Cr,从而引入这两种元素。

Q7


FIB切的透射薄片有孔或者部分脱落有影响吗?

答:切样的目的就是为了减薄样品,一些材质减薄后就会出现部分脱落、穿孔的现象,属于正常现象,有薄区,不影响透射拍摄即可,比如离子减薄制样就是要在材料上穿一个孔。

Q8


FIB电路修补的原理是什么?

答:原理是利用镓离子撞击样品表面,搭配有机气体进行有效的选择性蚀刻(切断电路)、沉积导体或非导体(新接电路)。

Q9


FIB离子注入的优点有哪些?

无需掩模和感光胶层,简化工艺,减少污染,提高器件的可靠性和成品率;对离子种类、电荷、能量等进行精确控制。

Q10


FIB三维重构的原理是什么?

答:主要是利用FIB对样品表面进行切割(厚度~2nm),然后利用背散射电子信号进行成像,重复以上切割和成像两个动作,可实现对样品三维结构的连续成像,通过后期的计算机图像处理技术获取样品在三维空间中的结构信息。

本文为e测试综合整理,未经允许,禁止转载!

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